碳化硅强化微反应器一般用于持续强化各组分混合使其达到更接近混匀均质的状态，在连续流反应过程中持续促进反应；不论是均相还是非均相体系，通过微混沌结构的打散混合再打散再混合的重复单元，实现各组分的充分的混合。具有广泛的化学耐受性，耐高压，既强化反应的传热传质，又有较大的通量。
碳化硅是一种硅和碳结合的半导体材料，自然界几乎没有，要想得到碳化硅单晶，只能依靠人工合成。而且，不是所有的碳化硅晶体都能作为半导体材料，只有六方相中的4H-SiC、6H-SiC才可以用。碳化硅在耐高压、耐高温、高频等方面具有优势，与硅相比，碳化硅作为第三代半导体材料，其介电击穿强度更大、饱和电子漂移速度更快，且热导率更高。
碳化硅材料在半导体领域具有三个优势：
物理性能：碳化硅材料禁带宽度大、饱和电子飘移速度高、存在高速二维电子气，击穿场强高。这些材料特性能够赋予碳化硅器件与众不同的性能。
器件特性：与硅材料相比，碳化硅器件耐高温、耐高压、频率高、开关速度快、导通电阻低。这些器件特性都有助于实现更高效的电子电气系统设计。
系统成本：用碳化硅器件设计的系统体积小、重量轻、高能效、驱动力强，有助于降低系统总成本。
功率器件作为电力电子装置中的核心元件,其发展直接影响着电力电子学科的走向。每一代具有代表性的功率器件的问世都引起了电力电子学科的一次革命。功率器件的发展大致可以划分为四个阶段：半控型功率器件阶段，单极型功率器件阶段，双极型功率器件阶段，新材料功率器件阶段。
